Method of improving adhesion of cap oxide to nanoporous silica for integrated circuit fabrication

   
   

A method of improving adhesion of a cap oxide to nanoporous silica for integrated circuit fabrication. In one embodiment, the method comprises several steps. The first step is to receive a wafer in a deposition chamber. Then a porous layer of material is deposited on the wafer. Next, a portion of the porous layer is densified in order to make it more compatible for adhesion to a cap layer. Finally, a cap layer is deposited onto the porous layer.

Метод улучшать прилипание окиси крышки к nanoporous кремнезему для изготовления интегрированной цепи. В одном воплощении, метод состоит из нескольких шагов. Первыйа шаг должен получить вафлю в камере низложения. После этого пористый слой материала депозирован на вафле. Затем, часть пористого слоя densified для того чтобы сделать ее более совместимым для прилипания к слою крышки. Окончательно, слой крышки депозирован на пористый слой.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

< Bump pad design for flip chip bumping

> Method for shallow trench isolation and shallow trench isolation structure

> Packaged microelectronic devices and methods of forming same

~ 00171