A substrate provided with an alignment mark in a substantially transmissive
process layer overlying the substrate, said mark comprising at least one
relatively high reflectance area(s) for reflecting radiation of an
alignment beam of radiation, and relatively low reflectance areas for
reflecting less radiation of the alignment beam, wherein the high
reflectance area(s) is (are) segmented in first and second directions both
directions being substantially perpendicular with respect to each other so
that the high reflectance areas comprise predominantly rectangular
segments.
Un substrato ha fornito un contrassegno di allineamento in uno strato trattato sostanzialmente transmissive che ricopre il substrato, contrassegno detto che contiene almeno un relativamente alto area(s) di riflessione per radiazione riflettente di un fascio di allineamento di radiazione e le zone relativamente basse di riflessione per riflettere meno radiazione del fascio di allineamento, in cui l'alto area(s) di riflessione (sia) รจ suddiviso dentro in primo luogo e secondi sensi entrambi i sensi che sono sostanzialmente perpendicolari riguardo a vicenda in modo che le alte zone di riflessione contenessero i segmenti principalmente rettangolari.