The present invention relates to a method for developing a photoresist
pattern. The method consists of mixing a concentrated chemical solution
with a solvent to obtain a diluted chemical solution of a predetermined
concentration. In this method, the mixing is done in a fabrication
facility where the substrates are processed. The diluted chemical solution
is then applied onto the photoresist pattern. Analysis of the pattern is
then carried out to detect any defects or pattern collapse on the
substrate. In the event that defects and/or pattern collapse occur, the
predetermined concentration is adjusted to reduce the phenomenon.
La actual invención se relaciona con un método para desarrollar un patrón del photoresist. El método consiste en el mezclar de una solución química concentrada con un solvente para obtener una solución química diluida de una concentración predeterminada. En este método, el mezclarse se hace en una facilidad de la fabricación donde se procesan los substratos. La solución química diluida entonces se aplica sobre el patrón del photoresist. El análisis del patrón entonces se realiza para detectar cualesquiera defectos o derrumbamiento del patrón en el substrato. En caso que ocurran los defectos y/o el derrumbamiento del patrón, la concentración predeterminada se ajusta para reducir el fenómeno.
