Lateral-only photoresist trimming for sub-80 nm gate stack

   
   

The invention relates generally to lithographic patterning of very small features. In particular, the invention relates generally to patterning of semiconductor circuit features smaller than lithographically defined using either conventional optical lithography or next generation lithography techniques. The invention relates more particularly, but not by way of limitation, to lateral trimming of photoresist images.

Η εφεύρεση αφορά γενικά τη λιθογραφική διαμόρφωση των πολύ μικρών χαρακτηριστικών γνωρισμάτων. Ειδικότερα, η εφεύρεση αφορά γενικά τη διαμόρφωση των χαρακτηριστικών γνωρισμάτων κυκλωμάτων ημιαγωγών μικρότερων από lithographically καθορισμένη τεχνικές χρησιμοποιώντας είτε τις συμβατικές οπτικές της λιθογραφίας είτε λιθογραφίας επόμενης γενεάς. Η εφεύρεση αφορά ειδικότερα, αλλά όχι μέσω του περιορισμού, την πλευρική τακτοποίηση photoresist των εικόνων.

 
Web www.patentalert.com

< Lancet device having capillary action

< Synthesis of pentafluorosulfuranyl substituted alkanes

> Fluorescent ballast with isolated system interface

> Method and apparatus for automatic volume control in an audio system

~ 00169