Electron spin mechanisms for inducing magnetic-polarization reversal

   
   

An apparatus includes a low magnetic-coercivity layer of material (LMC layer) having a majority electron-spin-polarization (M-ESP), an energy-gap coupled with the LMC layer, wherein a flow of spin-polarized electrons having an electron-spin-polarization anti-parallel to the LMC layer are injected via the energy-gap, to change the M-ESP of the LMC layer. A non-magnetic material is in electrical communication with the LMC layer and provides a spin-balanced source of current to the LMC layer, responsive to the injection of spin-polarized electrons into the LMC layer.

Een apparaat omvat een lage magnetisch-coercivitylaag van materiaal dat (laag LMC) een meerderheids elektron-rotatie-polarisatie (m-IN HET BIJZONDER) heeft, een energie-hiaat dat aan de laag LMC wordt gekoppeld, waarin een stroom van rotatie-gepolariseerde elektronen die een elektron-rotatie-polarisatie anti-parallel aan de laag LMC hebben via het energie-hiaat, wordt ingespoten om van de laag m-IN HET BIJZONDER te veranderen LMC. Een niet-magnetisch materiaal is in elektrocommunicatie met de laag LMC en verstrekt een rotatie-evenwichtige bron van stroom aan de laag LMC, ontvankelijk voor de injectie van rotatie-gepolariseerde elektronen in de laag LMC.

 
Web www.patentalert.com

< Structure of radio frequency variable capacitor and method of manufacturing the same

< Electrochemical treatment of tissues, especially tumors

> Data writing method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

> Compact neutron generator

~ 00169