Semiconductor laser apparatus and method of observing semiconductor laser apparatus

   
   

A semiconductor laser apparatus comprises a semiconductor laser chip disposed on a base through an electrode area, wherein the electrode area comprises at least a first electrode layer having no opening and a second electrode layer having an opening from the semiconductor laser chip side, the second electrode layer is formed of materials different from those of the first electrode layer and the opening of the second electrode layer is shaped in such a manner as to allow observation of a light emitting portion of the semiconductor laser chip by etching the first electrode layer using the second electrode layer as a mask. Another semiconductor laser apparatus comprises first and second electrode areas on the upper surface and the lower surface of the semiconductor laser chip, wherein both the first and the second electrode areas comprise at least the first electrode layer having no opening and the second electrode layer having the opening from the semiconductor laser chip side.

Ein Halbleiterlaser Apparat enthält einen Halbleiterlaser Span, der auf einer Unterseite durch einen Elektrode Bereich abgeschaffen wird, worin der Elektrode Bereich mindestens eine erste Elektrode Schicht enthält, die keine Öffnung haben und eine zweite Elektrode Schicht, die eine Öffnung von der Halbleiterlaser Spanseite hat, die zweite Elektrode Schicht wird gebildet von den Materialien, die zu denen der ersten Elektrode Schicht unterschiedlich sind und die Öffnung der zweiten Elektrode Schicht wird in solch eine Weise hinsichtlich erlauben Beobachtung eines hellen ausstrahlenden Teils des Halbleiterlaser Spanes geformt, indem man die erste Elektrode Schicht mit der zweiten Elektrode Schicht als Schablone ätzt. Ein anderer Halbleiterlaser Apparat enthält zuerst und zweite Elektrode Bereiche auf der Oberfläche und der Unterseite des Halbleiterlaser Spanes, worin die ersten und zweiten Elektrode Bereiche mindestens die erste Elektrode Schicht enthalten, die keine Öffnung haben und die zweite Elektrode Schicht, welche die Öffnung von der Halbleiterlaser Spanseite hat.

 
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