Disclosed are a crystal layer separation method capable of separating a
crystal layer formed on a substrate therefrom without occurrence of any
crack, and a laser irradiation method used therefor, and a method of
fabricating devices using the same. The crystal layer separation method
includes the step of separating a crystal layer made from a GaN based
compound formed on a sapphire substrate therefrom by irradiating the
crystal layer with a laser beam from the back surface of the substrate,
wherein the crystal layer is irradiated with the laser beam in a
line-shape. In this method, an irradiation width of the laser beam is
preferably equal to or less than a thickness of the crystal layer, and the
laser beam preferably has a light intensity distribution smoothened in the
width direction.
São divulgados um método de cristal da separação da camada capaz de separar uma camada de cristal dada forma em uma carcaça therefrom sem ocorrência de toda a rachadura, e um método do irradiation do laser usado therefor, e um método de fabricar dispositivos usando o mesmo. O método de cristal da separação da camada inclui a etapa de separar uma camada de cristal feita de um composto baseado GaN dado forma em uma carcaça do sapphire therefrom irradiating a camada de cristal com um feixe de laser da superfície traseira da carcaça, wherein a camada de cristal irradiated com o feixe de laser em uma linha-forma. Neste método, uma largura do irradiation do feixe de laser está preferivelmente igual ou menos do que a uma espessura da camada de cristal, e o feixe de laser tem preferivelmente uma distribuição da intensidade clara smoothened no sentido da largura.
