A method for making a filed-effect semiconductor device includes the steps
of forming a gate electrode on a semiconductor layer composed of a gallium
nitride-based compound semiconductor represented by the formula Al.sub.x
In.sub.y Ga.sub.1-x-y N, wherein x+y=1, 0.ltoreq.x.ltoreq.1, and
0.ltoreq.y.ltoreq.1; and forming a source electrode and a drain electrode
by self-alignment using the gate electrode as a mask. A field-effect
semiconductor device fabricated by the method is also disclosed.
Μια μέθοδος για μια συσκευή ημιαγωγών αρχειοθετώ-επίδρασης περιλαμβάνει τα βήματα της διαμόρφωσης ενός ηλεκτροδίου πυλών σε ένα στρώμα ημιαγωγών που αποτελείται από έναν νιτρίδιο-βασισμένο στον στο γάλλιο σύνθετο ημιαγωγό που αντιπροσωπεύεται από τον τύπο Al.sub.x In.sub.y γα.σuψ.1-Χ-Υ ν, όπου x+y=1, 0.ltoreq.x.ltoreq.1, και 0.ltoreq.y.ltoreq.1 και διαμορφώνοντας ένα ηλεκτρόδιο πηγής και ένα ηλεκτρόδιο αγωγών από την μόνος-ευθυγράμμιση που χρησιμοποιεί το ηλεκτρόδιο πυλών ως μάσκα. Μια field-effect συσκευή ημιαγωγών που κατασκευάζεται με τη μέθοδο αποκαλύπτεται επίσης.
