A substrate is plotted into a plurality of blocks, and each block is
plotted into one or a plurality of device-forming regions. By using a
first manufacturing line, a conductive film, an insulating film and a
semiconductor film which constitute TFT are formed in the device-forming
region. Then, primary cutting is performed to cut the substrate into the
respective blocks and form a plurality of sub-TFT substrates. Then, by
using a second manufacturing line, processing is performed for each
sub-TFT substrate in accordance with specifications of a liquid crystal
panel to be manufactured. Then, secondary cutting is performed to cut the
sub-TFT substrate into respective device-forming regions.
Een substraat wordt in kaart gebracht in een meerderheid van blokken, en elk blok wordt in kaart gebracht in één of een meerderheid van apparaat-vormende gebieden. Door een eerste productielijn te gebruiken, worden een geleidende film, een isolerende film en een halfgeleiderfilm die TFT vormen gevormd in het apparaat-zichvormend gebied. Dan, wordt het primaire knipsel uitgevoerd om het substraat te snijden in de respectieve blokken en een meerderheid van substraten te vormen sub-tft. Dan, door een tweede productielijn te gebruiken, wordt de verwerking voor elk substraat sub-tft overeenkomstig specificaties van een vloeibaar te vervaardigen kristalpaneel uitgevoerd. Dan, wordt het secundaire knipsel uitgevoerd om het substraat sub-tft in respectieve apparaat-zichvormende gebieden te snijden.