An AlGaAs cladding layer is formed on a GaAs semiconductor substrate, and
then an i-type GaAs layer is formed thereon. Then, stripe-like grooves are
formed in the GaAs layer by the photolithography method, and then an InAs
layer is formed by the MBE method. At this time, edges of convex portions
are deformed to be gentle with a rise of a substrate temperature, and thus
flat portions are almost eliminated. Then, InAs is hardly deposited on
slant surfaces of the convex portions and the InAs is grown on the bottom
portions of the grooves in the S-K mode, so that InAs islands that are
separated mutually are formed. Then, quantum dots are formed by covering
the InAs islands with i-type GaAs. In this manner, a periodic structure of
the quantum dots is formed by using the grooves.
Eine AlGaAs Umhüllungschicht wird auf einem GaAs Halbleitersubstrat gebildet, und dann wird eine Ichart GaAs Schicht darauf gebildet. Dann Streifen-wie Nuten werden in der GaAs Schicht durch die photolithographiemethode gebildet, und dann wird eine InAs Schicht durch die MBE Methode gebildet. Diesmal werden Ränder der konvexen Teile verformt, um mit einem Aufstieg einer Substrattemperatur leicht zu sein, und folglich werden flache Teile fast beseitigt. Dann wird InAs kaum auf slant Oberflächen der konvexen Teile niedergelegt und das InAs wird auf den unteren Teilen der Nuten im S-K Modus gewachsen, damit InAs Inseln, die gegenseitig getrennt werden, gebildet werden. Dann werden Quantenpunkte gebildet, indem man die InAs Inseln mit Ichart GaAs bedeckt. In dieser Weise wird eine periodische Struktur der Quantenpunkte gebildet, indem man die Nuten verwendet.
