A power semiconductor device includes a base layer of first conductivity. A
base layer of second conductivity is selectively formed on one surface of
the base layer of first conductivity. An emitter layer or source layer of
first conductivity is selectively formed on the surface of the base layer
of second conductivity. A collector layer or drain layer is selectively
formed on the other surface of the base layer of first conductivity or
selectively formed on the one surface thereof. A gate electrode is formed
on first and second gate insulating films which are formed on part of the
base layer of second conductivity which lies between the emitter layer or
source layer of first conductivity and the base layer of first
conductivity. The capacitance of a capacitor formed of the second gate
insulating film is different from that of a capacitor formed of the first
gate insulating film.
Прибора на полупроводниках силы вклюает низкопробный слой первой проводимости. Низкопробный слой второй проводимости селективно сформирован на одной поверхности низкопробного слоя первой проводимости. Слой излучателя или слой источника первой проводимости селективно сформированы на поверхности низкопробного слоя второй проводимости. Слой сборника или слой стока селективно сформированы на другой поверхности низкопробного слоя первой проводимости или селективно сформированы на одной поверхности thereof. Электрод строба сформирован дальше сперва и пленки второго строба изолируя сформированы на части низкопробного слоя второй проводимости лежит между слоем излучателя или слоем источника первой проводимости и низкопробным слоем первой проводимости. Емкость конденсатора сформированного пленки второго строба изолируя отличает емкостиз конденсатора сформированного пленки первого строба изолируя.
