A semiconductor structure and method of processing same including a
substrate, a lattice-mismatched first layer deposited on the substrate and
annealed at a temperature greater than 100.degree. C. above the deposition
temperature, and a second layer deposited on the first layer with a
greater lattice mismatch to the substrate than the first semiconductor
layer. In another embodiment there is provided a semiconductor graded
composition layer structure on a semiconductor substrate and a method of
processing same including a semiconductor substrate, a first semiconductor
layer having a series of lattice-mismatched semiconductor layers deposited
on the substrate and annealed at a temperature greater than 100.degree. C.
above the deposition temperature, a second semiconductor layer deposited
on the first semiconductor layer with a greater lattice mismatch to the
substrate than the first semiconductor layer, and annealed at a
temperature greater than 100.degree. C. above the deposition temperature
of the second semiconductor layer.
Uma estrutura do semicondutor e um método de processar mesmos including uma carcaça, uma primeira camada lattice-combinada mal depositada na carcaça e recozida em uma temperatura mais grande do que 100.degree. C. acima da temperatura do deposition, e uma segunda camada depositados na primeira camada com uma mau combinação mais grande do lattice à carcaça do que a primeira camada do semicondutor. Em uma outra incorporação é fornecido um semicondutor estrutura classificada da camada da composição em uma carcaça do semicondutor e um método de processar mesmos including uma carcaça do semicondutor, uma primeira camada do semicondutor que tem uma série das camadas lattice-combinadas mal do semicondutor depositadas na carcaça e recozidas em uma temperatura mais grande do que 100.degree. C. acima da temperatura do deposition, uma segunda camada do semicondutor depositada na primeira camada do semicondutor com uma mau combinação mais grande do lattice à carcaça do que a primeira camada do semicondutor, e recozida em uma temperatura mais grande do que 100.degree. C. acima da temperatura do deposition da segunda camada do semicondutor.
