SRAM cell and method for fabricating the same

   
   

SRAM cell and method for fabricating the same, the SRAM cell including a first local interconnection connected between first terminals of the first access transistor, the first load transistor, and the first drive transistor, and gates of the second load transistor, and the second drive transistor electrically, and a second local interconnection connected between first terminals of the second access transistor, the second load transistor, and the second drive transistor, and gates of the first load transistor, and the first drive transistor electrically, thereby reducing an area of the SRAM cell.

De cel SRAM en de methode om het zelfde te vervaardigen, de cel SRAM met inbegrip van een eerste lokale interconnectie verbonden elektrisch tussen eerste terminals van de eerste toegangstransistor, de eerste ladingstransistor, en de eerste aandrijvingstransistor, en poorten van de tweede ladingstransistor, en de tweede aandrijvingstransistor, en een tweede lokale interconnectie die tussen eerste terminals van de tweede toegangstransistor, de tweede ladingstransistor, en de tweede aandrijvingstransistor, en poorten van de eerste ladingstransistor, en de eerste aandrijvingstransistor elektrisch wordt verbonden, daardoor verminderend een gebied van de cel SRAM.

 
Web www.patentalert.com

< Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor

< Apparatus and method for integral bypass diode in solar cells

> Light emitting diode

> SOI MOSFET junction degradation using multiple buried amorphous layers

~ 00167