A flash memory device includes a substrate having first and second wells.
The first well is defined within the second well. A plurality of trenches
defines the substrate into a plurality of sub-columnar active regions. The
trenches is formed within the first well and extends into the second well.
A plurality of flash memory cells are formed on each of the sub-columnar
active regions.
Um dispositivo de memória flash inclui uma carcaça que têm primeiramente e segundos poços. O primeiro bom é definido dentro do poço do segundo. Um plurality das trincheiras define a carcaça em um plurality de regiões ativas secundário-sub-columnar. As trincheiras são dadas forma dentro do primeiro bom e estendem no segundo bem. Um plurality de pilhas de memória flash é dado forma em cada uma das regiões ativas secundário-sub-columnar.
