A source electrode V.sub.dd is formed in a region between a field PMOS 1
and a field PMOS 2 as high side switches of a latch circuit. This latch
circuit is utilized in the state where a lower side of one of the two high
side switches is completely depleted. Field PMOS 1 and field PMOS 2 share
a P.sup.+ -type impurity diffusion region, an N.sup.+ -type impurity
diffusion region and a P.sup.+ -type impurity diffusion region, which are
connected to source electrode V.sub.dd. It is therefore possible to
provide a semiconductor device capable of reducing the area thereof in the
direction parallel to the main surface of a semiconductor substrate.
Een bronelektrode V.sub.dd wordt gevormd in een gebied tussen een gebied PMOS 1 en een gebied PMOS 2 als hoge zijschakelaars van een klinkkring. Deze klinkkring wordt gebruikt in de staat waar een lagere kant van één van de twee hoge zijschakelaars volledig wordt uitgeput. Het gebied PMOS 1 en het gebied PMOS 2 delen P.sup. + - typ het gebied van de onzuiverheidsverspreiding, N.sup. + - de verspreidingsgebied van de typeonzuiverheid en P.sup. + - typ het gebied van de onzuiverheidsverspreiding, dat verbonden=wordt= met bronelektrode V.sub.dd. Het is daarom mogelijk om een halfgeleiderapparaat te verstrekken geschikt om het gebied in de richting daarvan te verminderen parallel met de belangrijkste oppervlakte van een halfgeleidersubstraat.
