A circuit and method for increasing the dynamic range of CMOS image sensors
designed with a thin gate oxide layer. The circuit includes a high voltage
supply circuit and a high voltage level shifter circuit. The high voltage
supply circuit is configured to supply a voltage to the shifter circuit.
The voltage has a voltage level higher than the maximum supply voltage of
the associated fabrication process. The shifter circuit is configured to
output a high reset signal based on a reset signal generated to reset a
pixel circuit of a pixel array. Instead of the reset signal, the high
reset signal is coupled to a gate of the reset transistor in the pixel
circuit. The high reset signal allows the reset transistor to maintain a
gate to source potential less than the maximum supply voltage even when
the high reset signal is greater than the maximum supply voltage.
Un circuit et une méthode pour augmenter la gamme dynamique des sondes d'image de CMOS ont conçu avec une couche mince d'oxyde de porte. Le circuit inclut un circuit d'approvisionnement à haute tension et un circuit de niveau à haute tension de levier. Le circuit d'approvisionnement à haute tension est configuré pour assurer une tension au circuit de levier. La tension a un niveau de tension plus haut que la tension d'alimentation maximum du processus associé de fabrication. Le circuit de levier est configuré pour produire un signal "Reset" élevé basé sur un signal "Reset" produit pour remettre à zéro un circuit de Pixel d'une rangée de Pixel. Au lieu du signal "Reset", le signal "Reset" élevé est couplé à une porte du transistor de remise dans le circuit de Pixel. Le signal "Reset" élevé laisse remettre à zéro le transistor pour maintenir une porte au potentiel de source moins que la tension d'alimentation maximum même lorsque le signal "Reset" élevé est plus grand que la tension d'alimentation maximum.
