Disclosed is a semiconductor laser light emitting device including: a
stacked film composed of a stack of group III nitride semiconductor films
each containing at least one kind selected from aluminum, gallium, indium,
and boron; wherein an upper portion of the stacked film is formed into a
ridge-like stripe, to form a current injection region; a current
non-injection region formed on both sides of the ridge-like stripe; and at
least part of the current non-injection region is made from a material
expressed by a chemical formula Al.sub.x Ga.sub.1-x N
(0.ltoreq.x.ltoreq.1.0). In this device, the component ratio "x" of Al is
specified at a value in a range of 0.3.ltoreq.x.ltoreq.1.0, so that the
semiconductor laser light emitting device is configured as an index guide
type semiconductor laser light emitting device; the component ratio "x" of
Al is specified at a value in a range of 0.15
É divulgada uma luz de laser do semicondutor que emite-se o dispositivo including: uma película empilhada composta de uma pilha do semicondutor do nitride do grupo III filma cada conter ao menos um tipo selecionado do alumínio, do gallium, do indium, e do boro; wherein uma parcela superior da película empilhada é dada forma em a cume-como o listra, para dar forma a uma região atual da injeção; uma região atual da non-injeção deu forma em ambos os lados do cume-como o listra; e ao menos a parte da região atual da non-injeção é feita de um material expressado por uma fórmula química Al.sub.x Ga.sub.1-x N (0.ltoreq.x.ltoreq.1.0). Neste dispositivo, a relação componente "x" do al é especificada em um valor em uma escala de 0.3.ltoreq.x.ltoreq.1.0, de modo que a luz de laser do semicondutor que se emite o dispositivo seja configurarada como um tipo luz da guia do índice de laser do semicondutor que se emite o dispositivo; a relação componente "x" do al é especificada em um valor em uma escala de 0.15
