Fullerene addition in photoresist via incorporation in the developer

   
   

A lithographic imaging method of the present invention includes the initial step of providing a substrate made from Mercury, Cadmium and Telluride materials (HgCdTe). The HgCdTe substrate is coated with a diazonaphthoquinone (DNQ) Novolak photoresist material to establish an imaging medium. The imaging medium is exposed to an image pattern and then developed in a tetra-methyl ammonium hydroxide (TMAH) solution. The TMAH solution includes a fullerene (C.sub.60) material dissolved therein to retard the subsequent etching of the imaging medium. The incorporation of fullerene into the photoresist material indirectly via the developing solution avoids the solubility and ultraviolet (UV) absorbance disadvantages inherent in adding fullerenes directly to the photoresist prior to placement on the substrate. After development, the imaging medium is etched to transfer the recorded image pattern to the substrate. The fullerene cooperates with the photoresist material to slow the etching process, which allows for a highly reticulated HgCdTe detectors and IR images having greatly enhanced resolution.

Eine lithographische Belichtung Methode der anwesenden Erfindung schließt den Ausgangsschritt des Zur Verfügung stellens eines Substrates ein, das von den Quecksilber-, Kadmium- und Telluridematerialien (HgCdTe) gebildet wird. Das HgCdTe Substrat wird mit einem diazonaphthoquinone (DNQ) Novolak Photoresistmaterial beschichtet, um ein Belichtung Mittel herzustellen. Das Belichtung Mittel wird einem Bildmuster ausgesetzt und entwickelt dann in einer TetramethylLösung des ammoniumhydroxids (TMAH). Die TMAH Lösung schließt ein fullerene (C.sub.60) Material ein, das darin aufgelöst wird, um die folgende Radierung des Belichtung Mittels zu verzögern. Die Gesellschaftsgründung von fullerene in das Photoresistmaterial indirekt über die sich entwickelnde Lösung vermeidet die Löslichkeit und ultravioletten (UV) die Absorption Nachteile, die wenn sie fullerenes direkt dem Photoresist vor Plazierung auf dem Substrat zugehörig sind, hinzufügt. Nach Entwicklung wird das Belichtung Mittel geätzt, um das notierte Bildmuster auf das Substrat zu bringen. Das fullerene arbeitet mit dem Photoresistmaterial zusammen, um den Radierung Prozeß zu verlangsamen, der ein in hohem Grade retikulierte HgCdTe Detektoren und IR die Bilder Auflösung groß erhöhend zuläßt.

 
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