A method for performing chemical-mechanical polishing/planarization
providing highly selective, rapid removal of a Ta-containing barrier layer
from a workpiece surface, such as a semiconductor wafer including a
damascene-type Cu-based metallization pattern in-laid in a dielectric
layer and including a Ta-containing metal diffusion barrier layer,
comprises applying an aqueous liquid composition to the workpiece surface
during CMP or to the polishing pad utilized for performing the CMP, the
composition comprising at least one reducing agent for reducing transition
metal ions to a lower valence state, at least one pH adjusting agent, at
least one metal corrosion inhibitor, and water, and optionally includes
ions of at least one transition metal, e.g., Cu and Fe ions. According to
another embodiment, the aqueous liquid composition contains Ag ions and
the at least one reducing agent is omitted.
Un método para realizar polishing/planarization producto-meca'nico que proporcionaba retiro altamente selectivo, rápido de una capa de barrera TA-QUE conteni'a de una superficie del objeto, tal como una oblea de semiconductor incluyendo un damasceno-tipo Cu-baso' el patrón de la metalización embutido en una capa dieléctrica e incluir una capa de barrera de difusión del metal TA-QUE conteni'a, abarca la aplicación de una composición líquida acuosa a la superficie del objeto durante el CMP o al cojín que pulía utilizado para realizar el CMP, la composición que abarcaba por lo menos un agente de reducción para reducir los iones del metal de la transición a un estado más bajo de la valencia, por lo menos un pH que ajustaba el agente, por lo menos un inhibidor de la corrosión del metal, y el agua, e incluye opcionalmente los iones por lo menos de un metal de la transición, e.g., Cu e iones del FE. Según otra encarnación, la composición líquida acuosa contiene los iones del AG y se omite el por lo menos un agente de reducción.
