Doped aluminum oxide dielectrics

   
   

Doped aluminum oxide layers having a porous aluminum oxide layer and methods of their fabrication. The porous aluminum oxide layer may be formed by evaporation physical vapor deposition techniques to facilitate formation of a high-purity aluminum oxide layer. A dopant material is embedded in the pores of the porous aluminum oxide layer and subsequently converted to a dielectric form. The degree of porosity of the porous aluminum oxide layer may be controlled during formation to facilitate control of the level of doping of the doped aluminum oxide layer. Such doped aluminum oxide layers are useful as gate dielectric layers, intergate dielectric layer and capacitor dielectric layers in various integrated circuit devices.

Camadas doped do óxido de alumínio que têm uma camada porosa do óxido de alumínio e métodos de sua fabricação. A camada porosa do óxido de alumínio pode ser dada forma por técnicas físicas do deposition do vapor da evaporação para facilitar a formação de uma camada high-purity do óxido de alumínio. Um material do dopant é encaixado nos pores da camada porosa do óxido de alumínio e convertido subseqüentemente a um formulário dieléctrico. O grau de porosidade da camada porosa do óxido de alumínio pode ser controlado durante a formação facilitar o controle do nível de doping da camada doped do óxido de alumínio. Tais camadas doped do óxido de alumínio são úteis como camadas dieléctricas da porta, a camada dieléctrica do intergate e camadas dieléctricas do capacitor em vários dispositivos do circuito integrado.

 
Web www.patentalert.com

< Controlled release formulations using intelligent polymers

< Releasable adhesive for attachments of substrates and joints

> Windshield wiper assembly having a winter boot

> Method to embed thick film components

~ 00165