The semiconductor device including a memory cell region and a peripheral
circuit region on a semiconductor substrate 10 comprises a transfer
transistor formed in the memory cell region, a capacitor constituted by a
storage electrode 46 connected to one of diffused layers 20 of the
transfer transistor and formed of a first conducting layer, a dielectric
film 52 covering a sidewall of the storage electrode 46, and an opposed
electrode 56 formed on the dielectric film 52; a conducting plug formed of
the first conducting layer and connected to the peripheral circuit region
of the semiconductor substrate 10; and a first interconnection 62
electrically connected to the conducting plug 48.
Η συσκευή ημιαγωγών συμπεριλαμβανομένης μιας περιοχής κυττάρων μνήμης και μιας απομακρυσμένης περιοχής κυκλωμάτων σε ένα υπόστρωμα 10 ημιαγωγών περιλαμβάνει μια κρυσταλλολυχνία μεταφοράς που διαμορφώνεται στην περιοχή κυττάρων μνήμης, ένας πυκνωτής που αποτελείται από ένα ηλεκτρόδιο 46 αποθήκευσης που συνδέεται με ένα από τα διασκορπισμένα στρώματα 20 της κρυσταλλολυχνίας μεταφοράς και που διαμορφώνεται ενός πρώτου στρώματος διεύθυνσης, μια διηλεκτρική ταινία 52 που καλύπτει sidewall του ηλεκτροδίου 46 αποθήκευσης, και ενός αντιταγμένου ηλεκτροδίου 56 που διαμορφώνεται στη διηλεκτρική ταινία 52 ένα βούλωμα διεύθυνσης που διαμορφώνεται του πρώτου στρώματος διεύθυνσης και που συνδέεται με την απομακρυσμένη περιοχή κυκλωμάτων του υποστρώματος 10 ημιαγωγών και μια πρώτη διασύνδεση 62 που συνδέεται ηλεκτρικά με το βούλωμα 48 διεύθυνσης.
