An electron source is proposed where a field emitter is formed by a whisker
grown epitaxially on a substrate. A ballast resistor and an active area
are placed in the body and/or on the surface of the field matter. The
ballast resister can be realized as a barrier in the shape of n-n+, p-p+,
p-n semiconductor junctions or insulation layer that crosses the charge
carrier flow. Components for controlling such electron sources are
arranged vertically. This allows to decrease significantly the area taken
by the components, and, in such a way, to increase the resolving power of
devices and expand fields of their applications. In so doing, owing to
whisker-grown field emitters it is possible to control the emission
currents by low voltages at strong electric fields.
On propose une source d'électron où un émetteur de champ est constitué par un favori développé épitaxial sur un substrat. Une résistance de ballast et un secteur actif sont placés dans le corps et/ou sur la surface de la matière de champ. Le resister de ballast peut être réalisé comme barrière dans la forme de n-n+, de p-p+, de jonctions de semi-conducteur de PN ou de couche d'isolation qui croise l'écoulement de porteur de charge. Des composants pour commander de telles sources d'électron sont arrangés verticalement. Ceci laisse diminuer de manière significative le secteur pris par les composants, et, d'une telle manière, d'augmenter la puissance de résolution des dispositifs et d'augmenter des champs de leurs applications. Ce faisant, dû aux émetteurs favori-croissants de champ il est possible de commander les courants d'émission par de basses tensions aux champs électriques forts.
