A semiconductor device including a nonvolatile memory unit and a variable
logic unit mounted on a chip is configured to achieve higher speed
operation at a lower voltage. The semiconductor device includes a
nonvolatile memory unit comprising a plurality of rewritable nonvolatile
memory cells and a variable logic unit whose logical functions are
determined, according to logic constitution definition data to be loaded
into storage cells thereof. A nonvolatile memory cell essentially has a
split gate structure composed of a selecting MOS transistor and a memory
MOS transistor and constructed such that the dielectric withstand voltage
of the gate of the selecting MOS transistor is lower than that of the
memory MOS transistor or the gate insulation layer of the selecting MOS
transistor is thinner than that of a high-voltage-tolerant MOS transistor.
Because the selecting MOS transistor has a high Gm, a sufficiently great
current for reading can be obtained.
Um dispositivo de semicondutor including uma unidade da memória permanente e uma unidade variável da lógica montou em uma microplaqueta é configurarado para conseguir uma operação mais elevada da velocidade em uma tensão mais baixa. O dispositivo de semicondutor inclui uma unidade da memória permanente que compreendem um plurality de pilhas de memória permanente rewritable e uma unidade variável da lógica cujas as funções lógicas sejam determinadas, de acordo com os dados da definição do constitution da lógica a ser carregados em pilhas do armazenamento disso. Uma pilha de memória permanente essencialmente tem uma estrutura rachada da porta composta de um transistor selecionando do MOS e de um transistor do MOS da memória e construiu tais que a tensão dieléctrica do withstand da porta do transistor selecionando do MOS é mais baixa do que isso do transistor do MOS da memória ou a camada da isolação da porta do transistor selecionando do MOS é mais fina do que isso de um transistor elevado-tensão-tolerante do MOS. Porque o transistor selecionando do MOS tem um Gm elevado, uma corrente suficientemente grande para a leitura pode ser obtida.
