On-p-GaAs substrate Zn1-xMgxSySe1-y pin photodiode and on-p-GaAs substrate Zn1-xMgxSySe1-y avalanche photodiode

   
   

A blue-ultraviolet on-p-GaAs substrate pin Zn1-xMgxSySe1-y photodiode with high quantum efficiency, small dark current, high reliability and a long lifetime. The ZnMgSSe photodiode has a metallic p-electrode, a p-GaAs single crystal substrate, a p-(ZnSe/ZnTe)m superlattice (m: integer number of sets of thin films), an optionally formed p-ZnSe buffer layer, a p-Zn1-xMgxSySe1-y layer, an i-Zn1-xMgxSySe1-y layer, an n-Zn1-xMgxSySe1-y layer, an n-electrode and an optionally provided antireflection film. Incidence light arrives at the i-layer without passing ZnTe layers. Since the incidence light is not absorbed by ZnTe layers, high quantum efficiency and high sensitivity are obtained.

Um pino azul-ultravioleta fotodiodo da carcaça em-p-On-p-GaAs de Zn1-xMgxSySe1-y com eficiência elevada do quantum, corrente escura pequena, confiabilidade elevada e uma vida longa. O fotodiodo de ZnMgSSe tem um p-elétrodo metálico, uma carcaça do único cristal p-P-GaAs, um superlattice de p-(ZnSe/ZnTe)m (m: número do inteiro dos jogos de películas finas), de uma camada opcionalmente dada forma do amortecedor do p-ZnSe, de uma camada de p-Zn1-xMgxSySe1-y, de uma camada de i-Zn1-xMgxSySe1-y, de uma camada de n-Zn1-xMgxSySe1-y, de um n-elétrodo e de uma película opcionalmente fornecida do antireflection. A luz da incidência chega na eu-camada sem passar camadas de ZnTe. Desde que a luz da incidência não é absorvida por camadas de ZnTe, a eficiência elevada do quantum e a sensibilidade elevada são obtidas.

 
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