The present invention relates to high-purity zirconium or hafnium with
minimal impurities, particularly where the content of alkali metal
elements such as Na, K; radioactive elements such as U, Th; transitional
metals or heavy metals or high melting point metal elements such as Fe,
Ni, Co, Cr, Cu, Mo, Ta, V; and gas components such as C, O, etc. is
extremely reduced, as well as to an inexpensive manufacturing method of
such high-purity zirconium or hafnium, thereby reducing the impurities
hindering the guarantee of the operational performance of semiconductors.
The present invention further relates to an inexpensive and safe
manufacturing method of high-purity zirconium or hafnium powder from
hydrogenated high-purity zirconium or hafnium powder.
La actual invención se relaciona con el circonio o el hafnium de gran pureza con las impurezas mínimas, particularmente donde el contenido de elementos alcalinos-metálicos tales como Na, K; elementos radiactivos tales como U, th; metales transitorios o elementos pesados del metal o altos de fusión del punto del metal tales como FE, Ni, Co, cr, Cu, MES, TA, V; y los componentes del gas tales como C, O, etc. se reducen extremadamente, así como a un método de fabricación barato de tal circonio o hafnium de gran pureza, de tal modo reduciendo las impurezas que obstaculizan la garantía del funcionamiento operacional de semiconductores. La actual invención más futura se relaciona con un método de fabricación barato y seguro del polvo de gran pureza del circonio o del hafnium del polvo de gran pureza hidrogenado del circonio o del hafnium.
