A low-k dielectric sacrificial material is formed within a microelectronic
structure covered with a layer defining an exhaust vent. At an appropriate
time, the underlying sacrificial material is decomposed and exhausted away
through the exhaust vent. Residue from the exhausted sacrificial material
accumulates at the vent location during exhaustion until the vent is
substantially occluded. As a result, an air gap is created having
desirable characteristics as a dielectric.
Un bas-k matériel sacrificatoire diélectrique est formé dans une structure microélectronique couverte de couche définissant un passage d'échappement. À un temps approprié, le matériel sacrificatoire fondamental est décomposé et épuisé loin par le passage d'échappement. Le résidu du matériel sacrificatoire épuisé s'accumule à l'endroit de passage pendant l'épuisement jusqu'à ce que le passage soit sensiblement occlu. En conséquence, un espace d'air est créé en ayant des caractéristiques souhaitables comme diélectrique.
