A semiconductor device having an MIS capacitor having a low capacitance
value and an MIS capacitor having a high capacitance value formed on the
same substrate, and a manufacturing method thereof. The first MIS
capacitor consists of a lower conductive material region formed on the
substrate, a multilayer dielectric film consisting of a first insulating
film, serving as both an interlayer insulating film and a dielectric film,
and a second insulating film serving as a dielectric film of the second
MIS capacitor, and an upper conductive material film, and the capacitance
of the first MIS capacitor is determined by an area of the dielectric film
formed by the second insulating film.
Un dispositif de semi-conducteur ayant un condensateur de mis avoir une valeur basse de capacité et un condensateur de mis ayant une valeur élevée de capacité formée sur le même substrat, et une méthode de fabrication en. Le premier condensateur de mis se compose d'une région matérielle conductrice inférieure formée sur le substrat, un film diélectrique multicouche se composant d'un premier film isolant, servant de film isolant de couche intercalaire et film diélectrique, et deuxième portion isolante de film comme film diélectrique du deuxième condensateur de mis, et film matériel conducteur supérieur, et la capacité du premier condensateur de mis est déterminée par un secteur du film diélectrique constitué par le deuxième film isolant.
