A SiP (System-in-Package) having large-capacity passive elements
incorporated therein or mounted thereon is provided. On an interposer made
of a silicon substrate, metal substrate or glass substrate having
via-holes formed therein, IC chips, or a plurality of chips, passive
elements formed on a silicon substrate, metal substrate or glass
substrate, are mounted in a face-up manner and re-wired en bloc on the
chip. Because all of the silicon substrate, metal substrate and glass
substrate are durable against high-temperature annealing for crystallizing
a high-dielectric-constant material, large-capacity passive elements can
be formed on the substrate which serves as an interposer or on the
re-wiring of the chips to be mounted. It is also allowable that
large-capacity passive elements formed on the silicon substrate, metal
substrate or glass substrate is divided into chips, and that the resultant
chips are mounted together with the IC chips.
SiP (Систем-в-Paket) имея крупнотоннажные пассивные элементы включал в этом или установлено thereon обеспечивает. На interposer сделанном субстрата кремния, субстрата металла или субстрата стекла иметь через-otversti4 быть сформированным в этом, обломоки IC, или множественность обломоков, пассивных элементов сформированных на субстрате кремния, субстрата металла или субстрата стекла, установлено в face-up образе и re-wired блке en на обломоке. Потому что весь из субстрата кремния, субстрата металла и субстрата стекла прочен против высокотемпературного отжига для выкристаллизовывать высок-диэлектрик-posto4nn материал, крупнотоннажные пассивные элементы можно сформировать на субстрате который служит как interposer или на re-wiring обломоков, котор нужно установить. Также позволяемое что крупнотоннажные пассивные элементы сформировали на субстрате кремния, субстрат металла или субстрат стекла разделен в обломоки, и что возникающие обломоки установлены together with обломоки IC.
