A process is disclosed for forming a fluoropolymer layer on a thin film
device, comprising contacting said thin film device with a gas phase
fluoromonomer, and initiating polymerization of said fluoromonomer with a
free radical polymerization initiator whereby said fluoromonomer
polymerizes to form said fluoropolymer layer on said thin film device.
Un processus est révélé pour former une couche de fluoropolymer sur un dispositif de la couche mince, comportant entrant en contact avec ledit dispositif de la couche mince avec un fluoromonomer de phase gaseuse, et lançant la polymérisation de ledit fluoromonomer avec un initiateur de polymérisation de radical libre par lequel ledit fluoromonomer polymérise pour former ladite couche de fluoropolymer sur ledit dispositif de la couche mince.
