Beam homogenizer, laser irradiation apparatus, semiconductor device, and method of fabricating the semiconductor device

   
   

An optical system (in FIGS. 1A and 1B) wherein a rectilinear laser beam of homogeneous energy distribution is defined for annealing a non-single crystalline semiconductor film (a surface to-be-irradiated 1108), is constructed of reflectors (1106, 1107 etc.) easily and inexpensively without including lenses of transmission type. The rectilinear laser beam can be defined having a length of at least 600 (mm) which corresponds to the shorter latus of a large-sized substrate for mass production.

Un système optique (dans les figues. 1A et 1b) où un rayon laser rectiligne de distribution homogène d'énergie est défini pour recuire un film cristallin non-simple de semi-conducteur (une surface à-être-a irradié 1108), est construite avec des réflecteurs (1106, 1107 etc...) facilement et économiquement sans inclure des objectifs de type de transmission. Le rayon laser rectiligne peut être défini ayant une longueur au moins de 600 (millimètre) qui correspond au latus plus court d'un grand substrat pour la production en série.

 
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< Recording apparatus and recording method

> Semiconductor device with saturable absorbing layer

> Widely tunable laser

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