Floating gate and fabricating method of the same

   
   

A floating gate and a fabricating method of the same. A semiconductor substrate is provided. A gate dielectric layer and a conducting layer are sequentially formed on the semiconductor substrate. A patterned hard mask layer having an opening is formed on the conducting layer, wherein a portion of the conducting layer is exposed through the opening. A spacer is formed on the sidewall of the opening. The patterned hard mask layer is removed. A conducting spacer is formed on the sidewall of the spacer. The exposed conducting layer and the exposed gate dielectric layer are sequentially removed.

Плавая строб и изготовляя метод этих же. Субстрат полупроводника обеспечен. Слой строба диэлектрический и дирижируя слой последовательн сформированы на субстрате полупроводника. Сделанный по образцу трудный слой маски имея отверстие сформирован на дирижируя слое, при котором часть дирижируя слоя подвергается действию через отверстие. Прокладка сформирована на стенке отверстия. Сделанный по образцу трудный слой маски извлекается. Дирижируя прокладка сформирована на стенке прокладки. , котор подвергли действию дирижируя слой и, котор подвергли действию слой строба диэлектрический последовательн извлечутся.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor light emitting device

< Ultra high-speed Si/SiGe modulation-doped field effect transistors on ultra thin SOI/SGOI substrate

> High-breakdown-voltage semiconductor device

> Haze-free BST films

~ 00161