Ferroelectric capacitor, process for production thereof and semiconductor device using the same

   
   

A ferroelectric capacitor includes a pair of electrodes, and at least one ferroelectric held between the pair of electrodes, in which the ferroelectric includes a first ferroelectric layer having a surface roughness (RMS) determined with an atomic force microscope of 10 nm or more; and a second ferroelectric layer being arranged adjacent to the first ferroelectric layer and having an RMS of 5 nm or less. A process produces such a ferroelectric capacitor by forming a first ferroelectric layer on or above one of a pair of electrodes at a temperature equal to or higher than a crystallization temperature at which the first ferroelectric layer takes on a ferroelectric crystalline structure, and forming a second ferroelectric layer on the first ferroelectric layer at a temperature lower than a crystallization temperature at which the second ferroelectric layer takes on a ferroelectric crystalline structure.

Ένας σιδηροηλεκτρικός πυκνωτής περιλαμβάνει ένα ζευγάρι των ηλεκτροδίων, και τουλάχιστον έναν σιδηροηλεκτρικό που κρατιέται μεταξύ του ζευγαριού των ηλεκτροδίων, ανά το οποίο ο σιδηροηλεκτρικός περιλαμβάνει ένα πρώτο σιδηροηλεκτρικό στρώμα που έχει μια τραχύτητα επιφάνειας (RMS) καθορισμένη με ένα ατομικό μικροσκόπιο δύναμης 10 NM ή περισσότερο και ένα δεύτερο σιδηροηλεκτρικό στρώμα που τακτοποιείται δίπλα στο πρώτο σιδηροηλεκτρικό στρώμα και που έχει ένα RMS 5 NM ή λιγότεροι. Μια διαδικασία παράγει έναν τέτοιο σιδηροηλεκτρικό πυκνωτή με τη διαμόρφωση ενός πρώτου σιδηροηλεκτρικού στρώματος σε ή επάνω από ένα από ένα ζευγάρι των ηλεκτροδίων σε μια θερμοκρασία ίση με ή υψηλότερη από μια θερμοκρασία κρυστάλλωσης στην οποία το πρώτο σιδηροηλεκτρικό στρώμα παίρνει μια σιδηροηλεκτρική κρυστάλλινη δομή, και τη διαμόρφωση ενός δεύτερου σιδηροηλεκτρικού στρώματος στο πρώτο σιδηροηλεκτρικό στρώμα σε μια θερμοκρασία χαμηλότερη από μια θερμοκρασία κρυστάλλωσης στην οποία το δεύτερο σιδηροηλεκτρικό στρώμα παίρνει μια σιδηροηλεκτρική κρυστάλλινη δομή.

 
Web www.patentalert.com

< Method for forming a multilayer electrode for a ferroelectric capacitor

< Optical module

> Photo-definable self-assembled materials

> Structure and method for fabricating configurable transistor devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same

~ 00161