The present invention provides a semiconductor device, a method of
manufacture therefor, and an integrated circuit including the same. The
semiconductor device may include a doped buried layer located over a doped
substrate and a doped epitaxial layer located over the doped buried layer.
The semiconductor device may further include a first doped lattice
matching layer located between the substrate and the buried layer and a
second doped lattice matching layer located between the doped buried layer
and the doped epitaxial layer.
Присытствыющий вымысел обеспечивает прибора на полупроводниках, метод изготовления therefor, и интегрированную цепь включая эти же. Прибора на полупроводниках может включить данный допинг похороненный слой расположенный над данным допинг субстратом и данный допинг эпитаксиальный слой расположенный над данным допинг похороненным слоем. Прибора на полупроводниках может более далее включить первый данный допинг решетки сопрягать слой расположенный между субстратом и похороненным слоем и вторым данным допинг решетки сопрягать слоем расположенными между данным допинг похороненным слоем и данным допинг эпитаксиальным слоем.
