A semiconductor radiation imaging device includes an array of pixel cells
having an array of pixel detectors which directly generate charge in
response to incident radiation and a corresponding array of
individually-addressable pixel circuits. Each pixel circuit is associated
with a respective pixel detector for accumulating charge directly
resulting from radiation incident on the pixel detector and includes
threshold circuitry and charge accumulation circuitry. The threshold
circuitry is configured to discard radiation hits on the pixel detector
outside a predetermined threshold range, and the charge accumulation
circuit is configured to accumulate charge directly resulting from a
plurality of successive radiation hits on the respective pixel detector
within the predetermined threshold range.
Eine Halbleiterstrahlung Belichtung Vorrichtung schließt eine Reihe Pixelzellen ein, die eine Reihe Pixeldetektoren haben, die direkt Aufladung in Erwiderung auf Ereignisstrahlung und eine entsprechende Reihe einzeln-ansprechbare Pixelstromkreise erzeugen. Jeder PixelstromkreisIST mit einem jeweiligen Pixeldetektor für das Ansammeln der Aufladung verbunden, die direkt aus Strahlung Ereignis auf dem Pixeldetektor resultiert und schließt Schwelle Schaltkreis und Aufladung Ansammlung Schaltkreis mit ein. Der Schwelle Schaltkreis wird zusammengebaut, um Strahlung Erfolge auf der Pixeldetektoraußenseite wegzuwerfen eine vorbestimmte Schwelle Strecke, und der Aufladung Ansammlung Stromkreis wird zusammengebaut, um die Aufladung anzusammeln, die direkt aus einer Mehrzahl der aufeinanderfolgenden Strahlung Erfolge auf dem jeweiligen Pixeldetektor innerhalb des vorbestimmten Schwelle Bereiches resultiert.
