Programmable embedded DRAM current monitor

   
   

This invention provides a method and apparatus for controlling the current drawn in a multi-bank memory device, for example, in a multi-bank memory system. The above and other features and advantages of the invention are achieved by a method and apparatus which controls access to a memory device to prevent an over-current condition. Each memory request is processed for each memory bank as an arbitrated event. A request is coordinated with the local memory controller circuitry controlling access to the memory bank. The memory bank is checked for its availability. The total current demand of the memory device is determined. If the memory bank request would not create an over-current condition and the memory bank is available, then the memory bank request is acknowledged and the memory request is carried out. Also provided is a method of fabricating such a memory device and also a method of operating such a memory device to access a selected memory bank.

Diese Erfindung stellt eine Methode und einen Apparat für das Steuern des Stromes zur Verfügung, der in ein Multibank größtintegriertes Speicherbauelement z.B. in einem Multibank Gedächtnissystem gezeichnet wird. Die oben genannten und anderen Eigenschaften und die Vorteile der Erfindung werden durch eine Methode und einen Apparat erzielt, denen Kontrollen zu einem größtintegrierten Speicherbauelement zugänglich machen, um einen Überstromzustand zu verhindern. Jeder Gedächtnisantrag wird für jede Gedächtnisbank als vermittelter Fall verarbeitet. Ein Antrag wird mit dem steuernden Zugang des lokalen Gedächtnissteuerpult-Schaltkreises zur Gedächtnisbank koordiniert. Die Gedächtnisbank wird auf seine Verwendbarkeit überprüft. Die gegenwärtige totalnachfrage des größtintegrierten Speicherbauelements wird festgestellt. Wenn der Gedächtnisbankantrag nicht einen Überstromzustand verursachen würde und die Gedächtnisbank vorhanden ist, dann wird der Gedächtnisbankantrag bestätigt und der Gedächtnisantrag wird durchgeführt. Auch gestellt eine Methode des Fabrizierens solch eines größtintegrierten Speicherbauelements und auch eine Methode des Laufen lassens solch eines größtintegrierten Speicherbauelements, um eine vorgewählte Gedächtnisbank zugänglich zu machen zur Verfügung.

 
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