Methods and apparatuses prevent overtunneling in pFET-based nonvolatile
floating gate memory (NVM) cells. During a tunneling process, in which
charge carriers are removed from a floating gate of a pFET-based NVM cell,
a channel current of a memory cell transistor is monitored and compared to
a predetermined minimum channel current required to maintain a conducting
channel in an injection transistor of the memory cell. When the monitored
channel current drops below the predetermined minimum channel current,
charge carriers are injected onto the floating gate by impact-ionized
hot-electron injection (IHEI) so that overtunneling is avoided.
Методы и приборы предотвращают overtunneling в пФЕТ-osnovannyx слаболетучих плавая клетках памяти строба (nvm). Во время процесса прокладывать тоннель, в котором несущие обязанности извлечутся от плавая строба пФЕТ-osnovanno1 клетки nvm, течение канала транзистора ячейкы памяти проконтролировано и сравнено к предопределенному минимальному течению канала необходимо, что обслуживало дирижируя канал в транзистор впрыски ячейкы памяти. Когда контролируемые падения под предопределенным минимальным течением канала, несущие канала в настоящее время обязанности впрыснуты на плавая строб удар-ionizirovanno1 впрыской горяч-3lektrona (IHEI) так, что overtunneling избежится.
