A modulation doped multiple quantum well structure having a steep Zn
profile of several nm by the balance between an increase in a Zn
concentration and a decrease in Zn diffusion by using metal organic vapor
phase epitaxy using Zn, in which an InGaAlAs quaternary alloy is used and
the Zn concentration and the range for crystal composition are defined to
equal to or less than the critical concentration at which Zn diffuses
abruptly in each of InGaAlAs compositions.
Una modulación dopó la estructura múltiple del pozo del quántum que tenía un perfil escarpado del zn de varios nm por el equilibrio entre un aumento en una concentración del zn y una disminución de la difusión del zn usando epitaxy de la fase del vapor orgánico del metal usando el zn, en el cual se utiliza una aleación cuaternario de InGaAlAs y la concentración del zn y la gama para la composición cristalina se definen para igualar o menos que a la concentración crítica en la cual el zn difunde precipitadamente en cada uno de las composiciones de InGaAlAs.
