A semiconductor device which is capable of operating with a single positive
power supply and has a low gate resistance, and a process for production
thereof.
The semiconductor device includes a channel layer (which constitutes a
current channel), a first semiconductor layer formed on said channel
layer, a second semiconductor layer in an island-like shape doped with a
conductive impurity and formed on said first semiconductor layer, and a
gate electrode formed on said second semiconductor layer, wherein said
first and second semiconductor layers under said gate electrode have a
conductive impurity region formed therein to control the threshold value
of current flowing through said channel layer, and the conductive impurity
region formed in second semiconductor layer is doped with a conductive
impurity more heavily than in the conductive impurity region formed in
said first semiconductor layer.
Μια συσκευή ημιαγωγών που είναι σε θέση με μια ενιαία θετική παροχή ηλεκτρικού ρεύματος και έχει μια χαμηλή αντίσταση πυλών, και μια διαδικασία για την παραγωγή επ' αυτού. Η συσκευή ημιαγωγών περιλαμβάνει ένα στρώμα καναλιών (που αποτελούν ένα τρέχον κανάλι), ένα πρώτο στρώμα ημιαγωγών που διαμορφώνεται στο εν λόγω στρώμα καναλιών, ένα δεύτερο στρώμα ημιαγωγών σε μια νησί-όπως μορφή που ναρκώνεται με μια αγώγιμη ακαθαρσία και που διαμορφώνεται στο εν λόγω πρώτο στρώμα ημιαγωγών, και ένα ηλεκτρόδιο πυλών που διαμορφώνεται στο εν λόγω δεύτερο στρώμα ημιαγωγών, όπου εν λόγω πρώτα και τα δεύτερα στρώματα ημιαγωγών κάτω από το εν λόγω ηλεκτρόδιο πυλών διαμορφώνουν μια αγώγιμη περιοχή ακαθαρσιών εκεί μέσα για να ελέγξουν την αξία κατώτατων ορίων της τρέχουσας ροής του εν λόγω στρώματος καναλιών, και την αγώγιμη περιοχή ακαθαρσιών που διαμορφώνεται στο δεύτερο στρώμα ημιαγωγών ναρκώνεται με μια αγώγιμη ακαθαρσία βαρύτερα από στην αγώγιμη περιοχή ακαθαρσιών που διαμορφώνεται στο εν λόγω πρώτο στρώμα ημιαγωγών.
