A semiconductor device has a wiring slot and two wiring layers connected by
a via hole. The semiconductor device is formed using a photodegradable
polymer film that degrades under UV radiation. An incidence angle .theta.
of radiation rays in the irradiating step with respect to a perpendicular
direction of a surface of the substrate, fulfills the relationship tan
.theta..gtoreq.H+H'/2(D+D') wherein D is a depth of the wiring slot, D' is
a thickness of the photoresist film, H is a diameter of the via hole in a
opening of the wiring slot, and H' is the width of the wiring slot.
Um dispositivo de semicondutor tem um entalhe da fiação e duas camadas wiring conectados por a através do furo. O dispositivo de semicondutor é dado forma usando uma película photodegradable do polímero que degrade sob a radiação UV. Um theta do ângulo da incidência. da radiação irradia na etapa irradiating com respeito a um sentido perpendicular de uma superfície da carcaça, cumpre o theta..gtoreq.H+H'/2(D+D do tan do relacionamento ') wherein D está a uma profundidade do entalhe da fiação, D ' é uma espessura da película do photoresist, H é um diâmetro do através do furo em uma abertura do entalhe da fiação, e H ' está a uma largura do entalhe da fiação.
