A method of making a semiconductor comprises depositing a group II-group VI
compound onto a substrate in the presence of nitrogen using sputtering to
produce a nitrogen-doped semiconductor. This method can be used for making
a photovoltaic cell using sputtering to apply a back contact layer of
group II-group VI compound to a substrate in the presence of nitrogen, the
back coating layer being doped with nitrogen. A semiconductor comprising a
group II-group VI compound doped with nitrogen, and a photovoltaic cell
comprising a substrate on which is deposited a layer of a group II-group
VI compound doped with nitrogen, are also included.
Een methode van het maken een halfgeleider bestaat uit het deponeren van een groeps ii-Groep VI samenstelling op een substraat in aanwezigheid van stikstof gebruikend het sputteren om een stikstof-gesmeerde halfgeleider te produceren. Deze methode kan voor het maken van een photovoltaic cel worden gebruikt gebruikend het sputteren om een achtercontactlaag van groeps ii-Groep VI samenstelling op een substraat in aanwezigheid van stikstof, de achterdeklaaglaag die toe te passen met stikstof wordt gesmeerd. Een halfgeleider uit een groeps ii-Groep VI bestaan samenstelling die met stikstof wordt gesmeerd, en een photovoltaic cel die uit een substraat bestaan waarop een laag van een groeps ii-Groep VI de samenstelling gedeponeerd wordt die met stikstof wordt gesmeerd, zijn ook inbegrepen.
