An optical semiconductor device having an active layer for generating light
via the recombination of holes and electrons therein. The active layer is
part of a plurality of semiconductor layers including an n-p junction
between an n-type layer and a p-type layer. The active layer has a
polarization field therein having a field direction that depends on the
orientation of the active layer when the active layer is grown. In the
present invention, the polarization field in the active layer has an
orientation such that the polarization field is directed from the n-layer
to the p-layer.
Un dispositif de semi-conducteur optique ayant une couche active pour produire de la lumière par l'intermédiaire de la recombinaison des trous et des électrons là-dedans. La couche active fait partie d'une pluralité de couches de semi-conducteur comprenant une jonction de n-p entre un n-type couche et un p-type couche. La couche active a un champ de polarisation avoir là-dedans une direction de champ qui dépend de l'orientation de la couche active quand la couche active est développée. Dans la présente invention, le champ de polarisation dans la couche active a une orientation tels que le champ de polarisation est dirigé de la n-couche vers le joueur.
