A new method to determine a parameter of a damascene interconnect in an
integrated circuit device is achieved. Drawn dimensions and local pattern
density of a damascene interconnect are extracted in an integrated circuit
device. A parameter of the damascene interconnect is calculating using the
drawn dimensions and the local pattern density to select a per unit value
from a set of per unit values measured over a range of drawn dimension and
pattern density combinations. The method may be used to improve the
accuracy of extracted damascene metal line resistance and parasitic
capacitance.
Une nouvelle méthode pour déterminer un paramètre d'une interconnexion damascène dans un dispositif de circuit intégré est réalisée. Des dimensions tirées et la densité locale de modèle d'une interconnexion damascène sont extraites dans un dispositif de circuit intégré. Un paramètre de l'interconnexion damascène calcule en utilisant les dimensions tirées et la densité locale de modèle pour choisir a par valeur d'unité à partir d'un ensemble de par valeurs d'unité mesurées sur une gamme des combinaisons tirées de densité de dimension et de modèle. La méthode peut être employée pour améliorer l'exactitude de la ligne damascène extraite résistance et capacité parasite en métal.
