This invention relates to MRAM technology and new MRAM memory element
designs. Specifically, this invention relates to the use of ferromagnetic
layers of different sizes in an MRAM element. This reduces magnetic
coupling between a pinned layer and a sense layer and provides a more
effective memory element. In addition, the design of the present invention
reduces the instances of electrical shorts occurring between the
ferromagnetic layers in an MRAM element
Этот вымысел относит к технологии MRAM и новый элемент памяти MRAM конструирует. Специфически, этот вымысел относит к пользе сегнетомагнитных слоев по-разному размеров в элементе MRAM. Это уменьшает магнитное соединение между прикалыванным слоем и слоем чувства и обеспечивает более эффективный элемент памяти. In addition, конструкция присытствыющего вымысла уменьшает примеры электрических краткостей происходя между сегнетомагнитными слоями в элементе MRAM
