A system for chemical vapor deposition at ambient temperature using
electron cyclotron resonance (ECR) comprising: an ECR system; a sputtering
system for providing the ECR system with metal ion; an organic material
supply system for providing organic material of gas or liquid phase; and a
DC bias system for inducing the metal ion and the radical ion on a
substrate is provided, and a method for fabricating metal composite film
comprising: a step of providing a process chamber with the gas as plasma
form using the ECR; a step of providing the chamber with the metal ion and
the organic material; a step of generating organic material ion and
radical ion by reacting the metal ion and the organic material with the
plasma; and a step of chemically compounding the organic material ion and
the radical ion after inducing them on a surface of a specimen is also
provided.
Un sistema per deposito di vapore chimico alla temperatura ambientale usando contenere di risonanza del ciclotrone dell'elettrone (ECR): un sistema dell'ECR; un sistema di polverizzazione per fornire al sistema dell'ECR lo ione del metallo; un sistema di rifornimento materiale organico per fornire materiale organico della fase del liquido o del gas; e un sistema diagonale di CC per l'induzione lo ione del metallo e dello ione radicale su un substrato è fornito e un metodo per fabbricare contenere composito della pellicola del metallo: un punto di fornire ad un alloggiamento trattato il gas come forma del plasma per mezzo dell'ECR; un punto di fornire all'alloggiamento lo ione del metallo ed il materiale organico; un punto di generazione ione materiale organico e dello ione radicale reagendo lo ione del metallo ed il materiale organico con il plasma; e un punto chimicamente di composto lo ione materiale organico e dello ione radicale dopo l'induzione loro su una superficie di un esemplare inoltre è fornito.
