A power semiconductor device includes second layers of a second
conductivity type disposed in a first layer of a first conductivity type.
The second layers extend in a depth direction and are arrayed at
intervals. Third layers of the second conductivity type are disposed
respectively in contact with the second layers. Fourth layers of the first
conductivity type are respectively formed in surfaces of the third layers.
A gate electrode faces, through a first insulating film, a channel region,
which is each of portions of the third layers interposed between the
fourth layers and the first layer. An additional electrode is disposed on
each of the second layers through a second insulating film, and faces,
through each of the second layers, the first main electrode. The
additional electrode is electrically connected to the gate electrode.
Прибора на полупроводниках силы вклюает вторые слои второго размещанного типа проводимости в первый слой первого типа проводимости. Вторые слои удлиняют в направление глубины и одеты на интервалах. Третьи слои второго типа проводимости размещаны соответственно in contact with вторые слои. Четвертые слои первого типа проводимости соответственно сформированы в поверхностях третьих слоев. Электрод строба смотрит на, через первую изолируя пленку, зону канала, которая каждая из частей третьих слоев interposed между четвертыми слоями и первым слоем. Дополнительный электрод размещан на каждой из вторых слоев через второй изолируя пленки, и смотрит на, через каждый из вторых слоев, первый главный электрод. Дополнительный электрод электрически соединен к электроду строба.
