In a photovoltaic element obtained by forming an ITO film, that is a
transparent conductive film, on a semiconductor layer composed of an
n-type silicon wafer, an i-type amorphous silicon hydride layer and a
p-type amorphous silicon hydride layer, the ITO film has an interface
layer as an alkali diffusion prevention region on a side adjacent to the
semiconductor layer, and a bulk layer layered on the interface layer. The
crystallinity of the interface layer is made lower than that of the bulk
layer by changing the water partial pressure when forming the interface
layer and the bulk layer.
In un elemento fotovoltaico ottenuto formando una pellicola di ITO, quella è una pellicola conduttiva trasparente, su uno strato a semiconduttore composto di n-tipo la lastra di silicio, un io-tipo strato amorfo dell'idruro del silicone e un p-tipo strato amorfo dell'idruro del silicone, la pellicola di ITO ha uno strato dell'interfaccia come regione di prevenzione di diffusione dell'alcali da un lato adiacente allo strato a semiconduttore e uno strato all'ingrosso fatto uno strato di sullo strato dell'interfaccia. La cristallinità dello strato dell'interfaccia è resa più bassa di quella dello strato all'ingrosso cambiando la pressione parziale dell'acqua quando forma lo strato dell'interfaccia e lo strato all'ingrosso.
