In a method of depositing a silicon thin film by using a vertical plasma
CVD apparatus having steps of holding a substrate having an area not
smaller than 1,200 cm.sup.2 and having a conductive film formed thereon
with a substrate holder, disposing the substrate to face an electrode, and
depositing a silicon thin film under a power density of 100 mW/cm.sup.2 or
more, the substrate holder is electrically insulated from the conductive
film formed on the surface of the substrate by forming a separation groove
in the conductive film.
In een methode om een silicium dunne film te deponeren door een verticaal apparaat dat van plasmacCvd te gebruiken stappen die van het houden van een substraat heeft dat een gebied niet kleiner heeft dan 1.200 cm.sup.2 en een geleidende film heeft die daarop met een substraathouder wordt gevormd, het substraat schikken om een elektrode onder ogen te zien, en een silicium dunne film deponeren onder een machtsdichtheid van 100 mW/cm.sup.2 of meer, is de substraathouder elektrisch geïsoleerd van de geleidende film die op de oppervlakte van het substraat door een scheidingsgroef wordt gevormd in de geleidende film te vormen.
