Roughly described, a phase-change memory such as a chalcogenide-based
memory is programmed optically and read electrically. No complex
electrical circuits are required for programming the cells. On the other
hand, this memory can be read by electrical circuitry directly. The read
out speed is much faster than for optical disks, and integrated circuit
chips made this way are more compatible with other electrical circuits
than are optical disks. Thus memories according to the invention can have
simple, low power-consuming, electrical circuits, and do not require slow
and power-hungry disk drives for reading. The invention therefore provides
a unique low power, fast read/write memory with simple electrical
circuits.
Rudement décrit, phase-changez la mémoire telle qu'une mémoire chalcogenide-basée est programmé optiquement et électriquement lu. Aucun circuit électrique complexe n'est exigé pour programmer les cellules. D'autre part, cette mémoire peut être lue par les circuits électriques directement. Lu hors de la vitesse est beaucoup plus rapide que pour les disques optiques, et les morceaux de circuit intégré ont fait cette manière sont plus compatibles avec d'autres circuits électriques que sont les disques optiques. Ainsi les mémoires selon l'invention peuvent avoir les circuits puissance-consumants et électriques simples, du bas, et n'exigent pas les unités de disques lentes et puissance-affamées pour la lecture. L'invention fournit donc une basse puissance unique, mémoire lecture/écriture rapide avec les circuits électriques simples.
