A magnetic memory device can include a synthetic ferrimagnetic data, a soft
reference layer and a tunneling layer. The synthetic ferrimagnetic data
layer has a magnetic moment directable to a first orientation and a second
orientation. The soft reference layer has a lower coercivity than the
synthetic ferrimagnetic data layer. The tunneling layer has electrical
resistance qualities which are influenced by magnetic moment orientations
of the synthetic ferrimagnetic data layer and the soft reference layer.
Μια μαγνητική συσκευή μνήμης μπορεί να περιλάβει ένα συνθετικό φερριμαγνητικό στοιχείο, ένα μαλακό στρώμα αναφοράς και ένα να ανοίξει στρώμα. Το συνθετικό φερριμαγνητικό στρώμα στοιχείων έχει μια μαγνητική στιγμή directable σε έναν πρώτο προσανατολισμό και έναν δεύτερο προσανατολισμό. Το μαλακό στρώμα αναφοράς έχει ένα χαμηλότερο coercivity από το συνθετικό φερριμαγνητικό στρώμα στοιχείων. Το να ανοίξει στρώμα έχει τις ηλεκτρικές ιδιότητες αντίστασης που επηρεάζονται από τους μαγνητικούς προσανατολισμούς στιγμής του συνθετικού φερριμαγνητικού στρώματος στοιχείων και του μαλακού στρώματος αναφοράς.
