There is provided a polishing composition that reduces erosion and is used
in a final polishing step of a semiconductor device manufacturing process.
The polishing composition contains colloidal silica, a periodic acid
compound, ammonia, ammonium nitrate and water and its pH is 1.8 to 4.0.
On fournit une composition de polissage qui réduit l'érosion et est employé dans une étape de polissage finale d'un processus de fabrication de dispositif de semi-conducteur. La composition de polissage contient la silice colloïdale, un composé acide périodique, ammoniaque, nitrate d'ammonium et l'eau et son pH est de 1.8 à 4.0.
